高频电容器充电电源绝缘栅双极晶体管吸收电路

作     者：邢达 高迎慧 严萍 Xing Da;Gao Yinghui;Yan Ping

作者机构：中国科学院电工研究所北京100190 中国科学院研究生院北京100049 

基　　金：国家自然科学基金项目(50777061) 电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室开放课题(SKLD09KM15) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2011年第23卷第1期

页      码：239-243页

摘      要：高频化是提升电源功率密度的有效方法。为了保护高频电容器充电电源中的开关器件,以串联谐振式电容器充电电源为基础,研究了绝缘栅双极晶体管(IGBT)尖峰电压的产生机理及影响因素。介绍了几种抑制尖峰电压的方法,着重分析了IGBT吸收电路的基本原理,并进行了参数设计。结合仿真软件,对吸收电路的参数进行了优化,将仿真结果和40 kW,50 kHz电容器充电电源样机的实验结果进行对比,验证了提出方案的可行性。

主 题 词：电容器充电电源 吸收电路 尖峰电压 绝缘栅双极晶体管 逆变器 高频电源 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/HPLPB20112301.0239

馆 藏 号：203710915...