微波加热SiC坩埚升温特性的数值模拟研究

作     者：朱冠宇 冯福中 郭华强 张鑫 王延庆 ZHU Guanyu;FENG Fuzhong;GUO Huaqiang;ZHANG Xin;WANG Yanqing

作者机构：中国矿业大学材料科学与工程学院江苏徐州221116 

基　　金：中国矿业大学"本科教学工程"国家级大学生创新训练项目(编号:201310290045) 中国矿业大学教育教学改革与建设课题立项资助项目(编号:2014WK17) 中国博士后资助项目(编号:2013M531422) 江苏省博士后资助项目(编号:1101031C) 

出 版 物：《陶瓷学报》 (Journal of Ceramics)

年 卷 期：2015年第36卷第4期

页      码：367-370页

摘      要：在给出SiC坩埚在微波场内温度与时间的理论升温速率方程的基础上,建立了SiC坩埚在微波场中的数学模型,采用COMSOL有限元软件中的射频模块,进行了多物理场耦合情况下Si C坩埚在微波场内的升温特性的数值计算,得到了温度在空间与时间上的分布图,并对模拟结果进行了分析。分析表明:Si C坩埚在微波场内可以实现体加热,获得均匀的温度分布,而且可以获得较高的升温速率和较高的温度。为借助SiC坩埚加热非吸波材料的升温过程设计提供了依据。

主 题 词：微波加热 Si C坩埚 升温特性 数值模拟 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.13957/j.cnki.tcxb.2015.04.007

馆 藏 号：203711342...