场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响

作     者：王硕 张炜 姚尧 张金城 刘扬 Wang Shuo;Zhang Wei;Yao Yao;Zhang Jincheng;Liu Yang

作者机构：中山大学物理科学与工程技术学院广州510275 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51177175 61274039) 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200 2011CB301903) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021) 国家国际科技合作专项项目(2012DFG52260) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A101) 

出 版 物：《中国科技论文》 (China Sciencepaper)

年 卷 期：2014年第9卷第7期

页      码：739-741页

摘      要：场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。

主 题 词：氮化镓 场板结构 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.2095-2783.2014.07.001

馆 藏 号：203712228...