1mm SiC多指栅微波功率器件

作     者：陈刚 钱伟 陈斌 柏松 Chen Gang;Qian Wei;Chen Bin;Bai Song

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第z1期

页      码：419-421页

摘      要：研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.

主 题 词：4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.104

馆 藏 号：203715550...