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SiC对IRFC致密度及性能的影响

SiC对IRFC致密度及性能的影响

作     者:周曦亚 陈建峰 沈玉辉 王群 高钦 

作者机构:大连理工大学材料系铸造中心 

基  金:"八六.三"高科技资助项目 

出 版 物:《硅酸盐通报》 (Bulletin of the Chinese Ceramic Society)

年 卷 期:1994年第13卷第3期

页      码:45-48页

摘      要:基于原位反应复合材料生长的Extended Vapor—Liquid—Solid机制(简称EVLS),设计使用Al—Si—Mg合金为母相,煅烧过的SiC(14μm)细颗粒为预制件,采用加水CaSO_4与Al_2O_3混合粉为阻生剂制出体积相对密度在97%以上,强度高达500.9±40.9Mpa,K_(IC)高达5.08±0.39Mpa·m^(1/2)的IRFC材料.并运用金相显微镜对IRFC的微观结构进行了分析,用EVSL理论对IRFC的生长机制进行了探讨.

主 题 词:原位反应 致密度 碳化硅 IRFC 

学科分类:080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录:

D O I:10.16552/j.cnki.issn1001-1625.1994.03.011

馆 藏 号:203716306...

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