逆变型MR阻尼器的设计及其磁路分析

作     者：葛惠娟 闫维明 孟剑 GE Huijuan;YAN Weiming;MENG Jian

作者机构：北京市道路工程质量监督站北京100076 北京工业大学工程抗震与结构诊治北京市重点实验室北京100022 核工业第二研究设计院北京100840 

基　　金：国家自然科学基金项目(50078003 50478042) 北京市教委科技发展计划面上项目 

出 版 物：《四川建筑科学研究》 (Sichuan Building Science)

年 卷 期：2007年第33卷第1期

页      码：142-146页

摘      要：逆变型MR阻尼器是一种通过在普通MR阻尼器中设置永磁体,以使得其在电源失效或无电源时仍能够在大阻尼状态工作的阻尼器。这种阻尼器能在一定程度上弥补普通MR阻尼器磁流变液长期处于零磁场状态而易于凝聚和沉降的不足,并通过设置励磁线圈来调节磁路气隙中磁场的大小,以使其阻尼可调,而且阻尼气隙中的磁场可以降为零,因而解决了普通MR阻尼器的剩磁问题。本文作者给出了逆变型MR阻尼器的设计方法,并设计了一个足尺的阀式MR阻尼器。数值模拟结果表明,通过在普通MR阻尼器磁路中设置永磁体,可以达到小电流大阻尼的逆变效果。

主 题 词：磁流变阻尼器 磁路设计 ANSYS分析 

学科分类：081405[081405] 08[工学] 0802[工学-机械学] 0814[工学-地质类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1008-1933.2007.01.040

馆 藏 号：203716935...