808nm半导体激光器的腔面反射率设计

作     者：杜伟华 杨红伟 陈国鹰 陈宏泰 李雅静 彭海涛 DU Wei-hua;YANG Hong-wei;CHEN Guo-ying;CHEN Hong-tai;LI Ya-jing;PENG Hai-tao

作者机构：河北工业大学信息工程学院 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所 

基　　金：国家自然科学基金(60676035) 河北省自然科学基金(F2005000084) 

出 版 物：《光电工程》 (Opto-Electronic Engineering)

年 卷 期：2008年第35卷第9期

页      码：41-44页

摘      要：通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。

主 题 词：半导 体激光器 反射率 镀膜 功率转换效率 腔面 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-501X.2008.09.009

馆 藏 号：203717410...