埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进

作     者：郑志霞 冯勇建 ZHENG Zhi-xia;FENG Yong-jian

作者机构：莆田学院电子信息工程学系福建莆田351100 厦门大学物理与机电工程学院福建厦门361005 

基　　金：国家国际合作基金项目(2011DFR11160) 福建省高校产学研合作重大项目(3502Z20103012) 莆田市自然科学基金区域重大项目(2010G03) 

出 版 物：《厦门大学学报（自然科学版）》 (Journal of Xiamen University：Natural Science)

年 卷 期：2012年第51卷第6期

页      码：1011-1015页

摘      要：运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合.

主 题 词：绝缘体上硅 阳极键合 埋氧层 键合电压 脉冲电源 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203719383...