与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟(英文)

作     者：孙增辉 陈弘达 毛陆虹 崔增文 高鹏 Sun Zenghui;Chen Hongda;Mao Luhong;Cui Zengwen;Gao Peng

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 天津大学电子与信息工程学院天津300072 

基　　金：国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA312 0 80,2 0 0 2AA312 2 40,2 0 0 1AA12 2 0 32 ) 国家自然科学基金 (批准号 :6 9896 2 6 0 )资助项目 ~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第3期

页      码：255-259页

摘      要：采用工业标准 0 6 μmCMOS工艺设计了以反向击穿硅 p n结为基础的光发射器件 .讨论了该器件的光发射机理 .利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟 ,包括器件的正向和反向I V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等 .结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件 ,在光互连等领域具有广阔的应用前景 .

主 题 词：LED 反向击穿硅p-n结 硅基光发射器件 击穿电压 CMOS 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.006

馆 藏 号：203724770...