高线性度上变频混频器设计

作     者：李鸣 唐守龙 罗岚 黄成 时龙兴 

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2004年第27卷第4期

页      码：603-606页

摘      要：首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点 ,随后采用 Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于 Chartered 0 .2 5μm CMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能 ;转换增益为 3 d B,在 5 0～ 860 MHz的频率范围内增益变化小于 0 .5 d B,IIP3为 1 0 d Bm,在 3 .3 V单电源下消耗 2 0 m A的电流。

主 题 词：上变频混频器 线性度 0.25μm CMOS 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2004.04.016

馆 藏 号：203725100...