衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜结构特性的影响

作     者：王金飞 薛玉明 祝俊刚 周凯 谭炳尧 张衷维 李石亮 裴涛 汪子涵 王一 牛伟凯 姜舒博 杨醒 蓝英杰 WANG Jin-fei;XUE Yu-ming;ZHU Jun-gang;ZHOU Kai;TAN Bing-vao;ZHANG Zhong-wei;LI Shi-liang;PEI Tao;WANG Zi-han;WANG Yi;NIU Wei-kai;JIANG Shu-bo;YANG Xing;LAN Ying-jie

作者机构：天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司天津300457 

基　　金：天津市教委基金资助项目(20060607) 大学生创新实验计划项目(DCSX10-002) 

出 版 物：《天津理工大学学报》 (Journal of Tianjin University of Technology)

年 卷 期：2012年第28卷第1期

页      码：79-82页

摘      要：本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.

主 题 词：InxGa1-xN薄膜 MOCVD 太阳电池 衬底温度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1673-095X.2012.01.019

馆 藏 号：203726773...