基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器

作     者：王溯源 章军云 彭龙新 黄念宁 WANG Suyuan;ZHANG Junyun;PENG Longxin;HUANG Nianning

作者机构：南京电子器件研究所 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2019年第19卷第8期

页      码：39-43页

摘      要：报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。

主 题 词：248 nm扫描光刻机 烘胶工艺 X波段 GaAs 单片限幅低噪声放大器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0811

馆 藏 号：203727095...