低相位噪声Σ-Δ小数频率合成器

作     者：于云丰 叶甜春 马成炎 乐建连 甘业兵 YU Yun-Feng;YE Tian-Chun;MA Cheng-Yan;YUE Jian-Lian;GAN Ye-Bing

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 杭州中科微电子有限公司杭州310053 

基　　金：国家"863"项目(2007AA12Z344)资助 

出 版 物：《中国科学院研究生院学报》 (Journal of the Graduate School of the Chinese Academy of Sciences)

年 卷 期：2010年第27卷第6期

页      码：782-787页

摘      要：为使Σ-Δ小数频率合成器获得低带内相位噪声,在设计中调制器采用一种5阶4bit输出的单环Σ-Δ调制器,比3阶MASH(Multi-stAge noise-SHaping)结构有着更低的带内量化噪声.一款具有低带内相位噪声和快速锁定特点的2.6GHzΣ-Δ小数频率合成器在0.25μmCMOS工艺中实现.测试结果显示,该频率合成器在40KHz频率偏移处相噪-86.5dBc/Hz,杂散小于-65dBc.在2.5V的电源供电下,电流为25.5mA,整个芯片面积3.9mm2(核心电路面积0.63mm2).

主 题 词：Σ-Δ调制器 频率合成器 MASH CMOS 锁相环 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203727652...