超深亚微米下百万门级系统级芯片的物理设计方案

作     者：曾宏 曾璇 闵昊 ZENG Hong;ZENG Xuan;MIN Hao

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 

出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)

年 卷 期：2006年第45卷第1期

页      码：26-29页

摘      要：超深亚微米下SoC芯片的物理设计面临很多挑战性的难题,如果仅使用传统芯片设计流程,耗时长且难以达到设计收敛,必须探索新的设计方法学来加速设计进程.以一块0.18μm工艺下200万门的无线数据传输芯片为例,应对超深亚微米下新的设计挑战,论述了在布局规划、电压降、信号完整性、可制造性设计等方面的解决方案,提出了设计方法学上的改进,提高了后端设计的效率和质量.

主 题 词：超深亚微米 系统级芯片 物理设计 设计收敛 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0427-7104.2006.01.006

馆 藏 号：203732091...