用全扩散法制作MCT

作     者：张发生 周如培 周宝霞 陈治明 

作者机构：西安理工大学自动化工程系 

基　　金：国家"八五"重大攻关项目 国家计委的资助 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1996年第17卷第9期

页      码：664-666页

摘      要：使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析．

主 题 词：全扩散法 MOS控制 晶闸管 硅片 MCT 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203732308...