高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计

作     者：王青 曹玉莲 何国荣 韦欣 渠红伟 宋国峰 陈良惠 WANG Qing;CAO Yu-lian;HE Guo-rong;WEI Xin;QU Hong-wei;SONG Guo-feng;CHEN Liang-hui

作者机构：中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083 

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(60636030/F0403) 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2008年第19卷第3期

页      码：304-307页

摘      要：利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合。

主 题 词：InGaAs/GaAsP 应变补偿 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1005-0086.2008.03.006

馆 藏 号：203732680...