中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进

作     者：李锋 江晓 林成生 陈炼 梁福田 金革 Li Feng;Jiang Xiao;Lin Chengsheng;Chen Lian;Liang Futian;Jin Ge

作者机构：中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室合肥230026 

基　　金：国家高技术发展计划项目 博士点基金项目资助(20050358047) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2009年第21卷第2期

页      码：291-296页

摘      要：ICF实验会产生大量X射线和γ射线,其在光电倍增管(PMT)中产生的脉冲信号过大,导致前端电子学电路饱和,严重影响电路的正常工作和中子飞行时间的测量。结合前端电子学系统的结构,对电路饱和的原因进行了深入分析,提出了非线性抗饱和电路改进方案,并进行了仿真和实验研究。仿真结果表明,该设计方案能够大幅衰减大信号而确保小信号的通过,信号通过后电路基线能在35 ns内恢复;电路的实测结果与仿真结果基本相同。这表明:采取的方案简洁有效,能够确保输入高达数十V脉冲的情况下电路的正常工作。目前这一电路已经得到应用,并将安装在某大型激光原型的大阵列中子探测器上。

主 题 词：ICF 前端电子学 抗饱和 闪烁探测器 

学科分类：082704[082704] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 

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馆 藏 号：203733022...