高压VDMOS场板终端技术的研究

作     者：吴正元 张硕 董晓敏 于军 Wu Zhengyuan;Zhang Shuo;Dong Xiaomin;Yu Jun

作者机构：华中理工大学电子科学与技术系 

出 版 物：《华中理工大学学报》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology)

年 卷 期：1999年第27卷第4期

页      码：43-45,48页

摘      要：采用ＭＩＳ模型进行ＶＤＭＯＳ器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对ＭＩＳ模型进行了修正，在工艺上首次引入聚酰亚胺／ＳｉＯ２复合介质层进行多层布线，形成阶梯形场板，使ＶＤＭＯＳ器件的终端耐压量ＢＶ≥７００Ｖ．

主 题 词：VDMOS 阶梯形场板 高压场控器件 终端结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1671-4512.1999.04.016

馆 藏 号：203733765...