基于0.18μm CMOS RF工艺的有源电感设计与优化

作     者：王伟印 沈琪 顾晓峰 赵琳娜 WANG Weiyin;SHEN Qi;GU Xiaofeng;ZHAO Linna

作者机构：江南大学电子工程系轻工过程先进控制教育部重点实验室江苏无锡214122 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11074280) 中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP20914 JUDCF10031) 江苏省普通高校研究生创新计划(CXLX11_0486) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2012年第42卷第6期

页      码：792-795页

摘      要：提出一种带负反馈的新型折叠共源共栅有源电感,对相关电路结构和参数进行了设计,分析了影响有源电感性能的各种因素。基于TSMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,利用CadenceSpectreRF对电路进行了仿真和优化,得到电感值最大为138nH,品质因子Q可达到59。

主 题 词：有源电感 CMOS射频工艺 折叠共源共栅 品质因子 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2012.06.011

馆 藏 号：203734832...