半超结SBD的研究

作     者：郝红蕾 

作者机构：贵州大学理学院电子科学系 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州贵阳550025 

出 版 物：《信息通信》 (Information & Communications)

年 卷 期：2013年第26卷第2期

页      码：9-11页

摘      要：由于导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,肖特基二极管(SBD)不能够应用于高压功率领域。为了改善导通电阻与击穿电压之间的关系,提出了半超结理论及其设计方法。通过对器件结构参数进行计算和优化,构成了一种实现半超结SBD的工艺方法,并利用Silvaco TCAD软件进行仿真验证。结果表明,利用该优化方案,可以得到击穿电压为500V,导通电阻为37mΩ·cm2的半超结SBD器件。

主 题 词：功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 超结 半超结 底端辅助层 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1673-1131.2013.02.006

馆 藏 号：203734985...