基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计

作     者：李佳 张万荣 谢红云 张蔚 沈珮 甘军宁 Li Jia;Zhang Wanrong;Xie Hongyun;Zhang Wei;Shen Pei;Gan Junning

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100022 

基　　金：国家自然科学基金项目(60776051 60376033) 北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015) 北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856) 北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301) 北京工业大学青年科研基金(97002013200701) 北京市自然科学基金项目(4082007) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第5期

页      码：425-427,445页

摘      要：基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真。最终在频率为5·2GHz下,LNA噪声系数F为1·5dB,增益S21达到12·6dB,输入、输出反射系数S11和S22较好,在工作频带内小于-10dB,LNA性能良好。

主 题 词：硅锗异质结双极型晶体管 低噪声放大器 IEEE802.11a 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.016

馆 藏 号：203740110...