与CMOS兼容的MEMS气压传感器工艺实现与性能分析

作     者：王艳春 黄庆安 聂萌 余辉洋 WANG Yan-chun;HUANG Qing-an;NIE Meng;YU Hui-yang

作者机构：东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096 蚌埠学院机械与电子工程系蚌埠233030 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60901009) 

出 版 物：《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期：2012年第10卷第5期

页      码：464-468页

摘      要：采用CMOS标准工艺,同时采用三种典型MEMS后处理关键工艺,重点通过对牺牲层释放工艺进行研究,制作实现了一种新型CMOS兼容的电容式气压传感器.在该传感器结构中,作为牺牲层的是在CMOS工艺中形成的掺硼氧化硅.通过释放使电容上电极悬空从而感应气压变化.释放过程采用氢氟酸HF、氟化铵、甘油和水的混合溶液.由于释放孔大小和释放孔间距的设计十分关键,通过实验验证优化了4μm×4μm的释放孔更适用于此传感器结构,并对此结构进行了性能分析与实验测试.结果表明,该气压传感器结构合理,工艺成功,重点解决了MEMS后处理中的牺牲层释放工艺与CMOS标准工艺的兼容问题,为利用CMOS标准工艺进行MEMS传感器的研制做出了有益的尝试.

主 题 词：MEMS牺牲层 电容式气压传感器 CMOS标准工艺 MEMS后处理工艺 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

核心收录：

D　O　I：10.13494/j.npe.2012.083

馆 藏 号：203741580...