看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >飞兆半导体推出低导通阻抗600VSupertFET MOSFET 收藏
飞兆半导体推出低导通阻抗600VSupertFET MOSFET

飞兆半导体推出低导通阻抗600VSupertFET MOSFET

出 版 物:《电子与电脑》 (Compotech)

年 卷 期:2006年第6卷第10期

页      码:57-57页

摘      要:飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列,专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK(TO-252)器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型MOSFET的1/3(06Ω-12Ω).能满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小。

主 题 词:MOSFET器件 飞兆半导体公司 导通阻抗 SuperFET 照明系统设计 传导损耗 系统效率 镇流器 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号:203747609...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分