NIST论证硅疲劳效应

作     者：王玲（编译） 王淑华（编译） 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2008年第45卷第2期

页      码：124-124页

摘      要：机械疲劳效应是一个极其令人感兴趣的现象，因为它一直被人们认为是不存在的。 美国国家标准与技术研究所（NIST）的研究人员已经对机械疲劳效应进行了论证，这种效应最终会导致体硅晶体中产生裂缝和断裂现象。这一学术成果对设计新型硅基微电子机械系统（MEMS）器件具有非常重要的意义。对硅MEMS器件的近期研究已经发现，这些把微小转动装备、振动弹簧片和其他机械零件综合在一起的微观系统，

主 题 词：疲劳效应 硅晶体 NIST 微电子机械系统 MEMS器件 美国国家标准 研究人员 断裂现象 

学科分类：080805[080805] 0401[教育学-教育学类] 04[教育学] 0808[工学-自动化类] 080202[080202] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 040102[040102] 0802[工学-机械学] 0811[工学-水利类] 

馆 藏 号：203747992...