超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善

作     者：王思浩 鲁庆 王文华 安霞 黄如 Wang Si-Hao;Lu Qing;Wang Wen-Hua;An Xia;Huang Ru

作者机构：北京大学微电子学深圳研究院集成微系统重点实验室北京100871 长春理工大学微电子系长春130022 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60836004,60625403) 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302701)资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2010年第59卷第3期

页      码：1970-1976页

摘      要：分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设计,为超深亚微米器件抗辐照加固提供了依据.

主 题 词：总剂量效应 超陡倒掺杂 泄漏电流 抗辐射加固. 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0704[理学-天文学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.59.1970

馆 藏 号：203748864...