Ku波段单片功率放大器设计与制作

作     者：刘如青 吴洪江 高学邦 付兴昌 倪涛 Liu Ruqing;Wu Hongjiang;Gao Xuebang;Fu Xingchang;Ni Tao

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第6期

页      码：470-473页

摘      要：介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程。芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAsMM IC测试技术等进行了相应描述。在芯片的研制过程中,利用ADS软件进行仿真及优化,利用电磁场仿真进行版图设计。在4英寸(100 mm)0.25μmGaAs PHEMT工艺线上完成芯片制作,在12.5～15.0 GHz的频率范围内,脉冲饱和输出功率Po大于34.7 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益Gp大于19.7 dB,功率附加效率PAE大于30%,功率增益平坦度小于±0.4 dB。该芯片可以应用到许多微波系统中。

主 题 词：Ku波段 功率放大器 脉冲 芯片 砷化镓 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.014

馆 藏 号：203749383...