高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计

作     者：徐正文 曲轶 王钰智 高婷 王鑫 Xu Zhengwen;Qu Yi;Wang Yuzhi;Gao Ting;Wang Xin

作者机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 

基　　金：吉林省科技发展计划(20111810) 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2014年第43卷第4期

页      码：1094-1098页

摘      要：设计了980 nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器,并在结构中插入电流阻挡层,有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980 nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟,与传统的980 nm对称宽波导量子阱激光器相比,非对称宽波导量子阱激光器波导和量子阱之间有更小的能带差,非对称宽波导结构具有更低的阈值电流,更高的斜效率以及更低的阻抗,所以带有电流阻挡层的980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器有更高的光电转换效率和输出功率。

主 题 词：非对称宽波导 激光器 高功率 电流阻挡层 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0802[工学-机械学] 0825[工学-环境科学与工程类] 0704[理学-天文学类] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-2276.2014.04.013

馆 藏 号：203750745...