用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

作     者：孙祥乐 高思伟 毛渲 龚晓霞 余黎静 宋欣波 柴圆媛 尚发兰 信思树 太云见 SUN Xiangle;GAO Siwei;MAO Xuan;GONG Xiaoxia;YU Lijing;SONG Xinbo;CHAI Yuanyuan;SHANG Falan;XIN Sishu;TAI Yunjian

作者机构：昆明物理研究所云南昆明650223 浙江大学硅材料国家重点实验室浙江杭州310027 

出 版 物：《红外技术》 (Infrared Technology)

年 卷 期：2019年第41卷第8期

页      码：742-749页

摘      要：能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。

主 题 词：电子束诱生电流 肖特基结 p-n结 InSb半导体器件 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203755120...