碳化硅颗粒表面磁控溅射镀铜膜的研究

作     者：俞晓正 沈志刚 徐政 YU Xiao-zheng;SHEN Zhi-gang;XU Zheng

作者机构：北京航空航天大学粉体技术北京市重点实验室 北京有色金属研究总院北京100088 

基　　金：航空基金项目(05H51046) 北京市教育委员会共建项目建设计划资助项目(JD100060627) 

出 版 物：《材料工程》 (Journal of Materials Engineering)

年 卷 期：2008年第36卷第3期

页      码：32-35页

摘      要：采用直流磁控溅射方法,在SiC颗粒表面成功地沉积了金属铜膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)和电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-AES)等测试仪器对其表面形貌和组份进行了表征。重点讨论了不同的沉积条件对薄膜结晶的影响,并用X射线衍射仪(XRD)对其进行了表征。结果表明,溅射镀膜时,通过控制SiC颗粒的运动方式,可以在其表面镀上均匀、连续和致密的金属膜。溅射时间越长或溅射功率越大或温度越高,都有利于薄膜结晶。

主 题 词：磁控溅射 金属膜 碳化硅 X射线衍射仪 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0802[工学-机械学] 0825[工学-环境科学与工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-4381.2008.03.008

馆 藏 号：203755640...