0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究

作     者：范雪 李平 谢小东 李辉 杨志明 丛伟林 FAN Xue;LI Ping;XIE Xiaodong;LI Hui;YANG Zhiming;CONG Weilin

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 成都华微电子科技有限公司成都610041 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2011年第31卷第1期

页      码：44-47页

摘      要：针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究。该存储器为FPGA的配置存储器。通过对被测器件分组,在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴-60γ射线辐射效应试验。试验实时监测了被测器件的工作电流以及其配置FPGA功能随总剂量变化的特性,在国内首次测试了该工艺尺寸的flash存储器件的总剂量辐射效应特性。得到了其工作电流漂移的总剂量阈值为45 krad(Si)和功能失效总剂量阈值为92 krad(Si)的试验结果。

主 题 词：浮栅flash存储器件 总剂量效应 射线 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2011.01.010

馆 藏 号：203756095...