Li掺杂少层MoS_2的电荷分布及与石墨和氮化硼片的比较

作     者：陈鑫 颜晓红 肖杨 Chen Xin;Yan Xiao-Hong;Xiao Yang

作者机构：南京航空航天大学应用物理系南京210016 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:NS2014073)资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2015年第64卷第8期

页      码：276-283页

摘      要：基于第一性原理计算,研究了Li掺杂的少层(1—3层)Mo S2的电荷分布,并与石墨片和BN片的电荷分布特征进行了比较.与石墨片和BN片相同的是:电荷转移的大部分只发生在Li与最靠近Li的第一层Mo S2之间.然而,第二层和第三层Mo S2也能获得10%的转移电荷,而石墨片和BN片的第二层和第三层得不到2%的电荷.结合静电能和功函数的分析可知,Mo S2、石墨片和BN片的电荷分布主要由层间的静电相互作用和功函数来决定.这些研究结果对于揭示具有多层结构的电荷分布特征及其电子器件的设计提供了理论支持.

主 题 词：电荷转移 少层MoS2 层间静电作用 功函数 

学科分类：07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.64.087102

馆 藏 号：203757633...