重掺杂硅物理参数的低温特性分析

作     者：肖志雄 郑茳 魏同立 王明网 卓伟 吴金 

作者机构：东南大学微电子中心 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1995年第23卷第8期

页      码：99-102页

摘      要：本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管电流增益的计算，所获得的计算结果与实验相符合。这为硅低温半导体器件的设计提供了理论基础。

主 题 词：硅 物理参数 低温特性 掺杂 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203762647...