薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟

作     者：张兴 王阳元 

作者机构：北京大学微电子学研究所北京100871 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1997年第18卷第1期

页      码：36-41页

摘      要：采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟．为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度，采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解，得到了较为理想的模拟结果．通过大量的模拟计算，较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOIMOSFET的瞬态工作机理，为今后小尺寸CMOS／SOIVLSI电路的设计提供了理论基础．

主 题 词：VLSI SOI MOSFET 瞬态数值模拟 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203763208...