SiC半导体二维自旋磁极化子能量的磁场效应

作     者：李子军 周小方 庄榕榕 张军华 李旭超 LI Zijun;ZHoU Xiaofang;ZHUANG Rongrong;ZHANG Junhua;LI Xuchao

作者机构：漳州师范学院物理与电子信息工程系福建漳州363000 

基　　金：福建省自然科学基金(A0220001) 福建省教育厅科技项目(JA03140) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2007年第27卷第4期

页      码：445-448页

摘      要：在考虑声子之间相互作用和电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC半导体弱耦合二维自旋磁极化子能量磁场效应的影响。数值计算给出了下列结果:电子自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加其分裂间距增大;电子自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比恒为0.23;电子自旋能量与自能之比小于电子自旋能量与自陷能之比,但非常接近,它们随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,它们分别为0和0.008;电子自旋能量与声子之间相互作用能量之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分别为0和1。该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。

主 题 词：碳化硅 自旋电子学 电子自旋能 自陷能 Landau基态能 自能 声子之间相互作用能 磁场依赖性 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2007.04.004

馆 藏 号：203763376...