100A/1200V 方片 GTR 的研制

作     者：王正鸣 李建华 王彩琳 刘东莉 

作者机构：西安电力电子技术研究所 

基　　金：国家"八五"重点科技攻关专题 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：1997年第31卷第4期

页      码：92-95页

摘      要：通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降、电流增益、开关时间之间的矛盾。在典型的电力半导体器件工艺条件下，开发出了一种类台面方片高压隔离终端，提高了生产成品率，形成了国产化的低成本ＧＴＲ方片制造技术。

主 题 词：晶体管 电力晶体管 结终端 方片工艺 制造 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203763598...