射频磁控溅射沉积AZO透明导电膜研究

作     者：林茂用 许春耀 LIN Maoyong;HSU Chunyao

作者机构：福建信息职业技术学院机电工程系福建福州350003 龙华科技大学机械工程系台湾桃园33306 

基　　金：福建省重点基金资助项目(No.2012H01010051) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2013年第32卷第2期

页      码：9-12页

摘      要：采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,应用灰关联-田口实验法设计了L9(34)混合直交表,研究了制程工艺对薄膜沉积速率、电阻率、光穿透率、结晶性的影响。结果表明沉积薄膜的最佳制程参数为射频功率120 W、溅射压强2 Pa、靶材-基板距离8.5 cm、薄膜沉积时间90 min;实验显示最佳制程参数下所得透明导电薄膜沉积速率为8.04 nm/min,电阻率为2.6×10–***,可见光穿透率维持在84%左右。

主 题 词：氧化锌铝 磁控溅射 灰关联-田口法 电阻率 透光率 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-2028.2013.02.003

馆 藏 号：203765646...