L频段宽带GaN芯片高功率放大器设计

作     者：张忍 刘彦北 Zhang Ren;Liu Yanbei

作者机构：天津大学电子信息工程学院天津300072 

出 版 物：《电子测量技术》 (Electronic Measurement Technology)

年 卷 期：2016年第39卷第1期

页      码：5-8页

摘      要：针对当前无线通信系统中射频功率放大器工作带宽窄、输出功率和附加效率低的缺点,本文基于CREE公司的GaN功率管设计了一款新型的L频段宽带大功率射频功率放大器。用源牵引和负载牵引技术测得工作频段内最佳输入输出阻抗,再通过集总参数元件与微带线结合的方法设计宽带匹配网络,并对放大器功率、效率以及谐波分量等指标进行测试。测试数据表明,当放大器工作在L频段300 MHz带宽内(相对工作带宽为27.7%),输入功率为34dBm的连续波(CW)时,其输出功率可达50.4dBm(108 W),附加效率不低于48%,平坦度为±0.1dB。因此,本文设计的GaN射频宽带功率放大器具有带宽宽、效率高、功率大的特点,具备应用价值。

主 题 词：射频功率放大器 匹配网络 附加效率 氮化镓(GaN) 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-7300.2016.01.002

馆 藏 号：203767046...