漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT的研究(Ⅰ)——低压截止态泄漏电流的温度特性

作     者：张海鹏 宋安飞 杨国勇 冯耀兰 魏同立 

作者机构：东南大学微电子中心南京210096 

基　　金：国家自然科学基金!重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 ) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2001年第21卷第1期

页      码：37-42页

摘      要：提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在 4 2 3～ 573K范围的温度特性。指出 ,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流 ,很高的截止态击穿电压 ,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出 ,它不仅适用于高温低压应用 ,而且适用于高温高压应用。

主 题 词：多沟道薄膜 绝缘层 横向绝缘栅双极晶体管 泄漏电流 漂移区 LIGBT 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.007

馆 藏 号：203771510...