增益可控CMOS低噪声放大器

作     者：胡嘉盛 李巍 任俊彦 HU Jiasheng;LI Wei;REN Junyan

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

基　　金：上海市信息委/经委2003年促进整机业与集成电路设计联动专项基金(编号为04-联专-004) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2007年第27卷第2期

页      码：207-212页

摘      要：设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,并提出了优化措施。芯片测试结果表明:在1.56GHz中心频率下,-3dB带宽约为150MHz,输出最大电压增益为27dB,此时噪声系数NF约为2.33dB,IIP3约为4.0dBm,可变增益范围为7dB。在3.3V电源电压下消耗电流8.2mA。此设计方法可以应用到诸如GSM、GPS等无线接收机系统中。

主 题 词：互补金属氧化物半导体射频集成电路 低噪声放大器 可变增益控制 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2007.02.015

馆 藏 号：203777131...