4H-SiC浮动结JBS器件的设计方法

作     者：孙腾飞 汤晓燕 谢思亮 袁昊 张玉明 SUN Tengfei;TANG Xiaoyan;XIE Siliang;YUAN Hao;ZHANG Yuming

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室 

基　　金：科学挑战专题基金资助项目(TZ2018003) 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2019年第17卷第4期

页      码：721-725页

摘      要：研究了4H-SiC浮动结(FJ)结势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法。提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度,然后以器件的功率优值(BFOM值)为依据确定出最佳下外延层厚度,进而设计出浮动结和表面结的最佳结构参数。否定了文献中认为浮动结位于器件中部为最佳设计的结论。仿真结果表明浮动结和表面结线宽比不仅影响器件导通特性,还会影响反向特性。浮动结线宽比在一定范围内会略微影响器件击穿电压,而表面结线宽比主要影响器件的反向泄漏电流。

主 题 词：4H-SiC 浮动结-结势垒肖特基二极管 外延结构 功率优值 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.11805/TKYDA201904.0721

馆 藏 号：203778680...