一种780～930MHz低功耗LCVCO的设计

作     者：谢维夫 李永明 张春 王志华 XIE Weifu;LI Yongming;ZHANG Chun;WANG Zhihua

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2008年第38卷第3期

页      码：407-410页

摘      要：综合分析了压控振荡器设计的参数对指标、性能的影响;根据分析结果,实现了一个工作在700～900MHz的低功耗压控振荡器。该压控振荡器采用UMC0.18μm CMOS工艺实现,三位粗调电容。测试结果表明,该压控振荡器输出频率780～930MHz,VCO相位噪声为-103dBc/1MHz,芯片面积为700μm×600μm,功耗仅为6.1mW。

主 题 词：压控振荡器 射频 相位噪声 MOSFET 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203778932...