大直径InP单晶生长研究

作     者：周晓龙 杨克武 杨瑞霞 孙同年 孙聂枫 Zhou Xiaolong;Yang Kewu;Yang Ruixia;Sun Tongnian;Sun Niefeng

作者机构：河北工业大学信息工程学院天津300130 专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2009年第34卷第4期

页      码：311-314页

摘      要：生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计并制造的高压单晶炉内首先将In和P进行合成,然后采用后加热器加热、坩埚随动等技术重复生长了直径为100～142 mm的大直径InP单晶。讨论了关于避免孪晶产生的关键技术,所提到的条件都得到优化后,单晶率就会大幅上升。

主 题 词：磷化铟 直径 孪晶 热场 液封直拉 坩埚 单晶 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2009.04.003

馆 藏 号：203779394...