基于正交实验法的微电子工艺实验教学研究

作     者：兰馗博 陈昊 曹荐 秦志源 卢建勋 谢生 

作者机构：天津大学微电子学院天津300072 天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津300072 

基　　金：教育部产学合作协同育人项目(项目编号:201801142008) 天津市级大学生创新创业训练计划项目(项目编号:201710056262) 天津大学实验室建设与管理改革项目(项目编号:201611) 

出 版 物：《高校实验室科学技术》 

年 卷 期：2019年第2期

页      码：31-34页

摘      要：为了分析微电子工艺实验教学中多因素对实验结果的影响,提高微电子工艺实验教学的综合性和创新性,利用正交实验及其方差分析的方法,研究了射频功率、工作压强、气体组分及流量配比对硅通孔刻蚀深宽比和刻蚀速率的影响,并采用正交实验,分析了各个因素对实验结果影响的显著性,获得了优化的工艺参数。基于此方法设计的工艺实验教学,提高了教学效率和学生的综合实践能力,达到了新时期培养微电子卓越人才和新工科建设的目标。

主 题 词：正交实验 方差分析 刻蚀深宽比 刻蚀速率 

学科分类：0401[教育学-教育学类] 04[教育学] 

馆 藏 号：203780068...