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一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关

一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关

作     者:刘聪 周翼鸿 李天明 LIU Cong;ZHOU Yi-hong;LI Tian-ming

作者机构:电子科技大学物理电子学院国家863计划强辐射实验室四川成都610054 

出 版 物:《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期:2012年第35卷第2期

页      码:139-141页

摘      要:射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于上述需求,利用了射频开关模块设计的基本原理,并结合了PCB上微带线的特性阻抗分析,且设计了合适的开关驱动电路,最终设计出一种高隔离度,低插入损耗,高速射频开关,开关控制电压为(0,-5V)。在频率2~4GHz的条件下,插入损耗小于1.7dB,隔离度大于48dB,结果满足设计要求。

主 题 词:单刀单掷 射频开关 特性阻抗 S波段 

学科分类:0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D O I:10.16652/j.issn.1004-373x.2012.02.015

馆 藏 号:203780611...

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