电离总剂量辐射加固SRAM设计

作     者：魏晓敏 高德远 魏廷存 陈楠 WEI Xiaomin;GAO Deyuan;WEI Tingcun;CHEN Nan

作者机构：西北工业大学计算机学院西安710072 

基　　金：国家重大科学仪器专项(2011YQ) 西北工业大学研究生创业种子基金资助项目(Z2012188) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2013年第43卷第1期

页      码：76-80页

摘      要：在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度。加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求。这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM。

主 题 词：静态随机存取存储器 辐射加固 电离总剂量辐射 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2013.01.017

馆 藏 号：203781077...