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漏泄同轴电缆辐射模式分析及高次模抑制

漏泄同轴电缆辐射模式分析及高次模抑制

作     者:王均宏 简水生 WANG Jun-hong;JIAN Shui-sheng

作者机构:北方交通大学光波所北京100044 

基  金:国家自然科学基金资助项目(69601008 60071012) 

出 版 物:《通信学报》 (Journal on Communications)

年 卷 期:2000年第21卷第12期

页      码:17-22页

摘      要:本文从Floquet定理出发 ,详细分析了漏泄同轴电缆的辐射模式 ,给出了辐射模式的存在条件 ,讨论了单模辐射的频带宽度。在此基础上进一步研究了高次模的抑制方法及其在电缆结构上的实现 ,目的是扩展单模辐射的频带宽度。本文理论是根据频带宽度的要求设计漏泄同轴电缆外导体上缝隙排列方式的基础。

主 题 词:漏泄同轴电缆 辐射模式 空间谐波 频带宽度 高次模抑制 

学科分类:080904[080904] 0810[工学-土木类] 080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080402[080402] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081001[081001] 

核心收录:

D O I:10.3321/j.issn:1000-436X.2000.12.004

馆 藏 号:203781382...

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