基于PLECS的车载SiC单相逆变器损耗研究

作     者：刘博如 LIU Bo-ru

作者机构：北京纵横机电科技有限公司 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2019年第53卷第8期

页      码：118-120页

摘      要：近年来,碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在电力电子领域的应用日益成熟。由于其具有损耗低、导通电阻小、开关速度快、频率高等优点,因此,当其应用在车载单相逆变器中时,可以通过提高开关频率来有效地减小磁性元件的体积,从而提高逆变器的功率密度,减轻重量。但随着开关频率的提高,逆变器的开关损耗也随之增加,因此SiC MOSFET单相逆变器的损耗分析在设计过程中至关重要。对车载SiC单相逆变器在单极性正弦脉宽调制(SPWM)下的开关器件损耗进行详细分析;在PLECS仿真软件中搭建SiCMOSFET单相逆变器的电路模型和器件损耗模型;最后搭建SiC MOSFET单相逆变器的实验平台,测试开关器件的损耗,验证损耗理论计算的正确性及损耗模型的有效性。

主 题 词：单相逆变器 金属-氧化物半导体场效应晶体管 损耗模型 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

馆 藏 号：203781519...