具有反射电极的高亮度LED芯片设计

作     者：陈才佳 李珅 王静辉 李晓波 Chen Caijia;Li Shen;Wang Jinghui;Li Xiaobo

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 同辉电子科技股份有限公司石家庄050200 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2014年第39卷第5期

页      码：361-364页

摘      要：根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1%,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构。实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6%,成功制备出高亮度LED芯片。

主 题 词：电流阻挡层 Al反射镜 反射电极 化学气相沉积(CVD) 电子束蒸发 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.009

馆 藏 号：203781581...