浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响

作     者：张海峰 刘芳 陈燕宁 原义栋 付振 ZHANG Haifeng;LIU Fang;CHEN Yanning;YUAN Yidong;FU Zhen

作者机构：北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2019年第19卷第9期

页      码：43-47页

摘      要：随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOSFET)器件的栅和衬底电流,分析了180nm N沟道晶体管中STI对于栅和衬底电流的影响。结果表明栅电流随着SA的缩小呈现先缩小后增大的趋势,衬底电流在常温以及高温下都随着SA的减小而减小。文章用应力机制导致的迁移率以及载流子浓度的变化对栅和衬底电流的变化趋势进行了分析,通过改进伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM)模拟了STI对衬底电流的影响,为设计人员进行低功耗设计提供了衬底电流模型。

主 题 词：栅电流 浅沟槽隔离 隧穿 能带结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0911

馆 藏 号：203781648...