KDP晶体离子束抛光温度场模拟与工艺参数优化

作     者：邓鸿飞 袁征 解旭辉 周林 胡皓 DENG Hong-fei;YUAN Zheng;XIE Xu-hui;ZHOU Lin;HU Hao

作者机构：国防科学技术大学机电工程与自动化学院长沙410073 重庆通信学院重庆400035 

基　　金：国家自然科学基金(51405503) 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2015年第44卷第10期

页      码：2708-2713页

摘      要：为解决离子束加工热效应这一棘手问题,必须了解离子束加工过程中光学元件的温度场分布,以期优化工艺参数来降低离子束加工过程中光学元件的温度。本文基于ANSYS参数化设计语言(APDL),建立离子束作用下温度场模型,模拟离子束加工KDP晶体过程,并对不同工艺参数条件下工件的温度场进行仿真。分析了工艺参数对KDP晶体温升的影响规律,并通过正交分析方法优化了工艺参数。优化结果表明:从影响工件温度变化程度的角度,离子入射角度θ>入射离子能量ε>峰值束流密度J>扫描行间距系数μ>束流分布参数σ;从降低工件温升角度,应选取较小的入射离子能量和峰值束流密度以及较大的离子束径、扫描行间距系数和入射角度,减小离子束加工对工件性能的影响,同时加工时间增加不明显。

主 题 词：离子束加工(IBF) 温度场 KDP晶体 参数优化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 0817[工学-轻工类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.10.014

馆 藏 号：203782347...